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' 耐压高,内阻低20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩRDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩRDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩFeatu
2019-07-16